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型号: MMBTA14
描述: 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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封 装: SOT-23-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/耗散功率: 350 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 30 V

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20000 @100mA, 5V

技术参数/额定功率(Max): 350 mW

技术参数/直流电流增益(hFE): 20000

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/增益带宽: 125MHz (Min)

技术参数/耗散功率(Max): 350 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-23-3

外形尺寸/长度: 2.92 mm

外形尺寸/宽度: 1.3 mm

外形尺寸/高度: 0.93 mm

外形尺寸/封装: SOT-23-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: 电源管理, 工业

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BCV27 BCV27 Philips (飞利浦) 类似代替 TO-236
ON Semiconductor BCV27 NPN 达林顿晶体管对, 1.2 A, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-23封装
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BCV27 BCV27 Siemens Semiconductor (西门子) 类似代替 SOT-23
ON Semiconductor BCV27 NPN 达林顿晶体管对, 1.2 A, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-23封装
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BCV27 BCV27 Philips (飞利浦) 类似代替 TO-236
ON Semiconductor BCV27 NPN 达林顿晶体管对, 1.2 A, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-23封装
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BCV27 BCV27 Nexperia (安世) 类似代替 TO-236
ON Semiconductor BCV27 NPN 达林顿晶体管对, 1.2 A, Vce=30 V, HFE=4000, 3引脚 SOT-23封装
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FMMT38CTA FMMT38CTA Zetex 功能相似 SOT-23-3
FMMT38C 系列 60 V 300 mA NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管
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KST06MTF KST06MTF Fairchild (飞兆/仙童) 类似代替 SOT-23-3
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor
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MMBTA13 MMBTA13 Rectron Semiconductor 类似代替
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 SHIKUES (时科) 类似代替
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 Diotec Semiconductor 类似代替
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 Micro Commercial Components (美微科) 类似代替
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 Secos 类似代替
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) 类似代替 SOT-23
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL 类似代替
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 UTC (友顺) 类似代替 SOT-23
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 Fairchild (飞兆/仙童) 类似代替 SOT-23-3
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13 MMBTA13 ON Semiconductor (安森美) 类似代替 SOT-23-3
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA14 MMBTA14 GMR Semiconductor (金誉半导体) 功能相似
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
MMBTA14 MMBTA14 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) 功能相似 SOT-23
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
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MMBTA14 MMBTA14 DAYA 功能相似
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
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MMBTA14 MMBTA14 MAKO SEMICONDUCTOR COLIMITED 功能相似
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
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MMBTA14 MMBTA14 Diodes (美台) 功能相似 SOT-23
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
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MMBTA14 MMBTA14 ON Semiconductor (安森美) 功能相似 SOT-23-3
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
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MMBTA14 MMBTA14 Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 SOT-23-3
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
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MMBTA14_NL MMBTA14_NL Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 SOT-23
SOT-23 NPN 30V 1.2A
SMBTA14 SMBTA14 Siemens Semiconductor (西门子) 功能相似
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors
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