技术参数/频率: 100 MHz
技术参数/额定电压(DC): 80.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 0.35 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 50 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.97 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA06-7-F
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23 |
MMBTA06-7-F 编带
|
||
MMBTA06-7-F
|
Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
MMBTA06-7-F 编带
|
||
|
|
GMR Semiconductor (金誉半导体) | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
|||
|
|
KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
||
|
|
DAYA | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
|||
|
|
MAKO SEMICONDUCTOR COLIMITED | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
|||
|
|
Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
||
MMBTA14
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
||
MMBTA14
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价