技术参数/频率: 100 MHz
技术参数/额定电压(DC): 80.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.05 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 国防, 工业, 电源管理, 军用与航空, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/军工级: Yes
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA06LT3G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA06LT3G 双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23
|
||
MMSTA06-7-F
|
Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-323-3 |
DIODES INC. MMSTA06-7-F 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 100 hFE
|
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