技术参数/频率: 100 MHz
技术参数/额定电压(DC): 80.0 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 225 mW
技术参数/增益频宽积: 100 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 225 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 2.64 mm
外形尺寸/高度: 1.11 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, Automotive, 电源管理, Industrial, 工业, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA06LT1
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
驱动晶体管（ NPN硅） Driver Transistors(NPN Silicon)
|
||
MMBTA06LT1
|
Secos | 完全替代 |
驱动晶体管（ NPN硅） Driver Transistors(NPN Silicon)
|
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