技术参数/额定电压(DC)： | 80.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 500 mA |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 80 V |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @100mA, 1V |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 225 mW |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 300 mW |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-23-3 |
|
外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
|
物理参数/材质： | Silicon |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTA06LT3G
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA06LT3G 双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价