技术参数/频率: 125 MHz
技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 1.20 A
技术参数/额定功率: 350 mW
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 30 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10000 @100mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 10000
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/增益带宽: 125MHz (Min)
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.92 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FMMT38CTA
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Zetex | 功能相似 | SOT-23-3 |
FMMT38C 系列 60 V 300 mA NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管
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KST13MTF
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 350mW 3Pin SOT-23 T/R
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Rectron Semiconductor | 功能相似 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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SHIKUES (时科) | 功能相似 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13
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Diotec Semiconductor | 功能相似 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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Secos | 功能相似 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 功能相似 | SOT-23 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 功能相似 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13
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UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-23 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
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MMBTA13LT1
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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MMBTA13LT1
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Leshan Radio (乐山无线电) | 类似代替 |
达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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MMBTA13LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
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MMBTA13_D87Z
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOT-23-3 |
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3Pin SOT-23 T/R
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 类似代替 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 类似代替 | SOT-23 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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DAYA | 类似代替 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MAKO SEMICONDUCTOR COLIMITED | 类似代替 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-23 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MMBTA14
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MMBTA14
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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