技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 80
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.2 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-236
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: TO-236
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: PB free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FMMT720
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Zetex | 功能相似 | SOT-23-3 |
DIODES INC. FMMT720 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 190 MHz, 625 mW, -1.5 A, 475 hFE
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PBSS5350T
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5350T
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Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-236 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5350T,215
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PBSS5350T,215 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 200 hFE
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