技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/极性： | PNP |
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技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 2A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 80 |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 200 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.2 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23 |
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外形尺寸/长度： | 3 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.4 mm |
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外形尺寸/高度： | 1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用： | Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5350T
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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