技术参数/漏源极电阻: 0.015 Ω
技术参数/耗散功率: 41.7 W
技术参数/输入电容(Ciss): 2700pF @15V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/长度: 6.73 mm
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SUD09P10-195-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SUD09P10-195-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SUD09P10-195-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SUD45P03-10-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252 |
Mosfet p-Ch 30V 15A 3Pin(2+Tab) Dpak
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SUD45P03-10-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-252 |
Mosfet p-Ch 30V 15A 3Pin(2+Tab) Dpak
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SUD45P03-10-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
Mosfet p-Ch 30V 15A 3Pin(2+Tab) Dpak
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SUD45P03-10-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
Mosfet p-Ch 30V 15A 3Pin(2+Tab) Dpak
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SUD50P04-13L-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.0105Ω; ID -60A; TO-252; PD 93.7W; VGS +/-20
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SUD50P04-13L-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.0105Ω; ID -60A; TO-252; PD 93.7W; VGS +/-20
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