技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.01 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 70 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | -30.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 25.0 A, -15.0 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 6000pF @25V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 4 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.38 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252 |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SUD45P03-09-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 15mohm, Id -32A, TO-252, Pd 41.7W
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SUD45P03-09-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 15mohm, Id -32A, TO-252, Pd 41.7W
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SUD50P04-13L-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.0105Ω; ID -60A; TO-252; PD 93.7W; VGS +/-20
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SUD50P04-13L-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.0105Ω; ID -60A; TO-252; PD 93.7W; VGS +/-20
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