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封 装: TO-252
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封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: TO-252

外形尺寸/封装: TO-252

其他/제조업체: Vishay

其他/제품 카테고리: MOSFETs

其他/제품: General Purpose MOSFETs

其他/구성: Single

其他/Case/Package: TO-252

其他/트랜지스터 극성: P-Channel

其他/드레인-소스 항복 전압: 30 V

其他/연속 드레인 전류: 15 A

其他/전력 발산: 4000 mW

其他/저항 Drain-Source RDS (on): 0.01 Ohm @ 10 V

其他/Typical 하강 시간: 140 ns

其他/Typical 상승 시간: 375 ns

其他/표준 턴-오프 지연 시간: 100 ns

其他/포장: REEL

其他/게이트-소스 항복 전압: /- 20 V

其他/최대 작동 온도: 150 C

其他/최소 작동 온도: 55 C

其他/타입: MOSFET

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SUD45P03-09-GE3 SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix 类似代替 TO-252-3
MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 15mohm, Id -32A, TO-252, Pd 41.7W
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SUD45P03-09-GE3 SUD45P03-09-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 TO-252-3
MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 15mohm, Id -32A, TO-252, Pd 41.7W
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SUD50P04-13L-E3 SUD50P04-13L-E3 Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 TO-252
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.0105Ω; ID -60A; TO-252; PD 93.7W; VGS +/-20
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SUD50P04-13L-E3 SUD50P04-13L-E3 Vishay Siliconix 类似代替 TO-252-3
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDS(ON) 0.0105Ω; ID -60A; TO-252; PD 93.7W; VGS +/-20
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