技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 110 W
技术参数/产品系列: IRFZ44ES
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 48.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1360pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 110 W
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44ES
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 60V 48A
|
||
IRFZ44ESPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
||
|
|
Amphenol (安费诺) | 类似代替 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
|||
IRFZ44ESPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
||
IRFZ44ESTRRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | D2PAK |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
|
||
IRFZ44ESTRRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
|
||
STB35NF10T4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
||
STB55NF06T4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价