技术参数/额定功率: 110 W
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 110W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 48A
技术参数/上升时间: 60 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1360pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 110W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.65 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44ES
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 60V 48A
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IRFZ44ESTRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ESTRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ESTRRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | D2PAK |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
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IRFZ44ESTRRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
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STB35NF10T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB55NF06T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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