技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 48.0 A
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 110W (Tc)
技术参数/产品系列: IRFZ44ES
技术参数/输入电容: 1.36 nF
技术参数/栅电荷: 60.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 48.0 A
技术参数/上升时间: 60.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1360pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 110W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRFZ44ESPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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Amphenol (安费诺) | 类似代替 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFZ44ESPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFZ44ESTRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ESTRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ESTRRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | D2PAK |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
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IRFZ44ESTRRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
场效应管(MOSFET) IRFZ44ESTRRPBF D2PAK
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