技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.8 W
技术参数/产品系列: IRFZ34NS
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 29.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 700pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.8 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: D2PAK
外形尺寸/封装: D2PAK
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ34NS
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263 |
D2PAK N-CH 55V 29A
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IRF | 功能相似 |
INFINEON IRFZ34NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
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IFA | 功能相似 |
IRFZ34NSTRLPBF 编带
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IRFZ34NSTRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
IRFZ34NSTRLPBF 编带
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STB35NF10T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB36NF06LT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V
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