技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 30.0 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.032 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 70 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/输入电容: 660 pF
技术参数/栅电荷: 17.5 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 30.0 A
技术参数/上升时间: 80 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 660pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 70 W
技术参数/下降时间: 13 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 70W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 9.35 mm
外形尺寸/高度: 4.6 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP60NF06
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
|
||
STP60NF06L
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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