技术参数/额定电压(DC): 55.0 V
技术参数/额定电流: 29.0 A
技术参数/漏源极电阻: 40.0 mΩ (max)
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 68.0 W
技术参数/产品系列: IRFZ34NS
技术参数/漏源极电压(Vds): 55.0 V
技术参数/漏源击穿电压: 55.0V (min)
技术参数/连续漏极电流(Ids): 29.0 A
技术参数/上升时间: 49.0 ns
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263
外形尺寸/封装: TO-263
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STB36NF06LT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价