技术参数/耗散功率: 0.15 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 12 V
技术参数/增益: 9 dB
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @7mA, 3V
技术参数/额定功率(Max): 150 mW
技术参数/耗散功率(Max): 150 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.25 mm
外形尺寸/高度: 0.9 mm
外形尺寸/封装: SOT-323
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | SOT-323 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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2SC4226
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NEC (日本电气) | 功能相似 | SC-70 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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2SC4226-T1
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NEC | 完全替代 | SOT-323 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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2SC4226-T1
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 完全替代 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 完全替代 | Mini-Mold |
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 3Pin Super Mini-Mold
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2SC4226-T1-A
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California Eastern Laboratories | 完全替代 | SOT-323 |
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 3Pin Super Mini-Mold
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NE85630
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 完全替代 | SOT-323 |
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 3Pin SOT-323
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