封装参数/封装： | SC-70 |
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外形尺寸/封装： | SC-70 |
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其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)： | 20V |
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其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)： | 12V |
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其他/集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)： | 100mA/0.1A |
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其他/截止频率fTTranstion Frequency(fT)： | 4.5Ghz |
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其他/直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)： | 70~140 |
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其他/耗散功率PcPower Dissipation： | 150mW/0.15W |
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其他/规格书PDF： | __ |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2SC4226-T1
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NEC | 功能相似 | SOT-323 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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2SC4226-T1
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | Mini-Mold |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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2SC4226-T1-A
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California Eastern Laboratories | 功能相似 | SOT-323 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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NE85630
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | SOT-323 |
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 3Pin SOT-323
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