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型号: NE85630
描述: Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 3Pin SOT-323
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封 装: SOT-323
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技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 150 mW

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-323

外形尺寸/封装: SOT-323

物理参数/材质: Silicon

其他/产品生命周期: Obsolete

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2SC4226-T1 2SC4226-T1 NEC 完全替代 SOT-323
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
2SC4226-T1 2SC4226-T1 Renesas Electronics (瑞萨电子) 完全替代
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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