技术参数/频率： | 4500 MHz |
|
技术参数/额定电压(DC)： | 12.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 100 mA |
|
技术参数/极性： | NPN |
|
技术参数/耗散功率： | 0.15 W |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 12 V |
|
技术参数/增益： | 9 dB |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 @7mA, 3V |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 150 mW |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 150 mW |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-323 |
|
外形尺寸/高度： | 0.9 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-323 |
|
物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Obsolete |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 | SOT-323 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
|
||
2SC4226
|
NEC (日本电气) | 功能相似 | SC-70 |
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价