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型号: NE85630-T1-A
描述: Transistor
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封 装: SOT-323
货 期:
包装方式: Cut Tape (CT)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

12.0 V

 

技术参数/额定电流:

100 mA

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

12 V

 

技术参数/增益:

12dB ~ 6dB

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

40 @20mA, 10V

 

技术参数/额定功率(Max):

150 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/封装:

SOT-323

 

外形尺寸/封装:

SOT-323

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2SC4226 2SC4226 Renesas Electronics (瑞萨电子) 功能相似 SOT-323
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
2SC4226 2SC4226 NEC (日本电气) 功能相似 SC-70
NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold
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