技术参数/额定功率: 60 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0725 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/阈值电压: 5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 18A
技术参数/上升时间: 28 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 550pF @50V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 60 W
技术参数/下降时间: 3.9 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 60W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.66 mm
外形尺寸/宽度: 4.82 mm
外形尺寸/高度: 9.02 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 电源管理, Push-Pull, Class D Audio, Audio, 音频, Full-Bridge, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management, Consumer Full-Bridge
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRF520NPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF520NPBF
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Arduino | 类似代替 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF520NPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF540ZPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRF540ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V
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IRF540ZPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRF540ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V
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STP24NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
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