技术参数/额定功率: 92 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0265 Ω
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 92 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 1770pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 36A
技术参数/上升时间: 51 ns
技术参数/热阻: 1.64℃/W (RθJC)
技术参数/正向电压(Max): 1.3 V
技术参数/输入电容(Ciss): 1770pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 92 W
技术参数/下降时间: 39 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 92W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.54 mm
外形尺寸/宽度: 4.69 mm
外形尺寸/高度: 8.77 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Automotive, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF540Z
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON AUIRF540Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
|
||
AUIRF540Z
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON AUIRF540Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
|
||
AUIRF540ZSTRL
|
International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-252-3 |
场效应管(MOSFET) AUIRF540ZSTRL TO-263-3
|
||
IRFB4212PBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4212PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V
|
||
IRFB4212PBF
|
IRF | 类似代替 |
INFINEON IRFB4212PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V
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STP24NF10
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
|
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STP40NF10
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
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