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型号: IRF540ZPBF
描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 21Milliohms; ID 36A; TO-220AB; PD 92W; gFS 36V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Rail, Tube
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技术参数/额定电压(DC):

100 V

 

技术参数/额定电流:

36.0 A

 

技术参数/正向电压:

1.30 V

 

技术参数/漏源极电阻:

26.5 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

92 W

 

技术参数/产品系列:

IRF540Z

 

技术参数/输入电容:

1770pF @25V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

36.0 A

 

技术参数/上升时间:

51.0 ns

 

技术参数/热阻:

1.64℃/W (RθJC)

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1770pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

92 W

 

技术参数/下降时间:

39 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/高度:

9.02 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
AUIRF540Z AUIRF540Z Infineon (英飞凌) 类似代替 TO-220-3
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INFINEON AUIRF540Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
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IRFB4212PBF IRFB4212PBF Infineon (英飞凌) 类似代替 TO-220-3
INFINEON IRFB4212PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V
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IRFB4212PBF IRFB4212PBF IRF 类似代替
INFINEON IRFB4212PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 72.5 mohm, 10 V, 5 V
STP24NF10 STP24NF10 ST Microelectronics (意法半导体) 功能相似 TO-220-3
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STP40NF10 STP40NF10 ST Microelectronics (意法半导体) 功能相似 TO-220-3
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
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