技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 1600 mΩ
技术参数/耗散功率: 525 mW
技术参数/阈值电压: 1.6 V
技术参数/输入电容: 33 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/上升时间: 6 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 50pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/下降时间: 7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 525 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-666
外形尺寸/长度: 1.7 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.6 mm
外形尺寸/封装: SOT-666
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002BKV,115
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-666 |
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV,115, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装
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2N7002BKV,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-666-6 |
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV,115, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装
|
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NTZD5110NT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-563-6 |
60 V,0.31A功率MOSFET,带ESD保护
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NTZD5110NT1G
|
onsemi | 功能相似 | SOT-563 |
60 V,0.31A功率MOSFET,带ESD保护
|
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SI1026X-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SC-89-6 |
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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SI1026X-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SC-89-6 |
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
|
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SI1026X-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 |
N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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