技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 1.4 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/阈值电压: 2.5 V
技术参数/输入电容: 30pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 500 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 30pF @25V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 0.25 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-89-6
外形尺寸/长度: 1.7 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 0.6 mm
外形尺寸/封装: SC-89-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002BKV
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-666 |
NXP 2N7002BKV 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
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2N7002BKV,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-666 |
2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666
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2N7002BKV,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-666-6 |
2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666
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2N7002PV,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-666-6 |
2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
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||
2N7002PV,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-666-6 |
2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
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