技术参数/频率: 200 MHz
技术参数/耗散功率: 0.625 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 350 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @50mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温: -55℃ ~ 150℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 4.58 mm
外形尺寸/宽度: 3.86 mm
外形尺寸/高度: 4.58 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6515
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Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 | TO-92 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6515
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6515
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-92-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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Diodes (美台) | 类似代替 | TO-92-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-92-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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Transys Electronics | 类似代替 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 | TO-92 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6517
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DC Components | 类似代替 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6517
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6517
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6517
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Samsung (三星) | 类似代替 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6517
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Secos | 类似代替 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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2N6517RLRAG
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
TO-92 NPN 350V 0.5A
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2N6517TA
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517TA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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