技术参数/额定电压(DC): 350 V
技术参数/额定电流: 500 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 350 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @50mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N6517CTA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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2N6517CTA
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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2N6517TA
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6517TA 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 200 MHz, 625 mW, 20 hFE
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2N6517TA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6517TA 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 200 MHz, 625 mW, 20 hFE
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先科ST (先科) | 功能相似 | TO-92-3 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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Diotec Semiconductor | 功能相似 | TO-92 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-92 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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Samsung (三星) | 功能相似 | TO-92-3 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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Diodes (美台) | 功能相似 | TO-92-3 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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ChendaHang (辰达行) | 功能相似 | TO-92 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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GE (通用电气) | 功能相似 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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MPSA42
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VISHAY (威世) | 功能相似 |
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
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