技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/增益频宽积: 200 MHz
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 300
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/封装: TO-92-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6515-BP
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | TO-92 |
TO-92 NPN 250V 0.5A
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Diodes (美台) | 功能相似 | TO-92-3 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-92-3 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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Transys Electronics | 功能相似 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | TO-92 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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2N6517
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DC Components | 功能相似 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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2N6517
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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2N6517
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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2N6517
|
Samsung (三星) | 功能相似 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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2N6517
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Secos | 功能相似 |
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
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2N6517BU
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
ON Semiconductor 2N6517BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517BU
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517BU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
ON Semiconductor 2N6517BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517CTA
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517CTA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=400 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517CTA
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517CTA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=400 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517TA
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N6517TA
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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