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型号: 2N5550
描述: 放大器晶体管 Amplifier Transistors
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封 装: TO-226-3
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技术参数/额定电压(DC): 140 V

技术参数/额定电流: 600 mA

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 625 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 140 V

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 60 @10mA, 5V

技术参数/额定功率(Max): 625 mW

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 625 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-226-3

外形尺寸/封装: TO-226-3

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Bulk

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Contains Lead

海关信息/ECCN代码: EAR99

海关信息/HTS代码: 8541210075

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