技术参数/额定电压(DC): 140 V
技术参数/额定电流: 600 mA
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 140 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 60 @10mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 8541210075
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Samsung (三星) | 功能相似 | TO-92 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-92-3 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 功能相似 | TO-92 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | TO-92 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Honey Technology | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Luguang Electronic | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Secos | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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DAYA | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Usha | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Semtech Corporation | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-92 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | TO-92-3 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-92 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550
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Micro Electronics | 功能相似 |
t-Npn Si- Hiv Amp
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2N5550-T/R
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-92 |
TRANSISTOR 300 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
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2N5550G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE
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2N5550LEADFREE
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-92 |
TO-92 NPN 140V 0.6A
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2N5550RLRA
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
放大器晶体管 Amplifier Transistors
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2N5550TFR
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N5550TFR , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=140 V, HFE:20, 300 MHz, 3引脚 TO-92封装
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