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型号: 2N5550G
描述: ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE
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封 装: TO-226-3
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技术参数/频率: 300 MHz

技术参数/额定电压(DC): 140 V

技术参数/额定电流: 600 mA

技术参数/针脚数: 3

技术参数/极性: NPN

技术参数/耗散功率: 625 mW

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 140 V

技术参数/热阻: 83.3℃/W (RθJC)

技术参数/集电极最大允许电流: 0.6A

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 60 @10mA, 5V

技术参数/额定功率(Max): 625 mW

技术参数/直流电流增益(hFE): 60

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 625 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-226-3

外形尺寸/长度: 5.2 mm

外形尺寸/宽度: 4.19 mm

外形尺寸/高度: 5.33 mm

外形尺寸/封装: TO-226-3

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Bulk

其他/制造应用: Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

海关信息/ECCN代码: EAR99

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