技术参数/额定电压(DC): 140 V
技术参数/额定电流: 600 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 140 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.6A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 60 @10mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N5550G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE
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2N5550RLRP
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-226-3 |
放大器晶体管 Amplifier Transistors
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2N5550RLRP
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DAYA | 完全替代 |
放大器晶体管 Amplifier Transistors
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DAYA | 完全替代 |
放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon
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