技术参数/额定电压(DC): -50.0 V
技术参数/额定电流: -100 mA
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 80 @5mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 80
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 385 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-70-6
外形尺寸/封装: SC-70-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5113DW1T1
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
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MUN5113DW1T1
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-88-6 |
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
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PUMB2,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TSSOP-363 |
NXP PUMB2,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-363
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