技术参数/极性: PNP, P-Channel
技术参数/耗散功率: 0.3 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 80 @5mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSSOP-363
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: TSSOP-363
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, Industrial, Automotive
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5113DW1T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5113DW1T1G 单晶体管 双极, 双PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
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PUMB2
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-363 |
NXP PUMB2 双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 80 hFE, SOT-363
|
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PUMB2
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | UMT |
NXP PUMB2 双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 80 hFE, SOT-363
|
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PUMB2
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363 |
NXP PUMB2 双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 80 hFE, SOT-363
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PUMB2,115
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TSSOP-363 |
Nexperia PUMB2,115 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
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