技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 80
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 80 @5mA, 10V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 385 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-88-6
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.25 mm
外形尺寸/高度: 0.9 mm
外形尺寸/封装: SC-88-6
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5113DW1T1
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors
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MUN5113DW1T1
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-88-6 |
Dual Bias Resistor Transistors
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MUN5113DW1T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5113DW1T1G 单晶体管 双极, 双PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
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