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型号: 1.5KE27AG
描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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技术参数/额定电压(DC): 27.0 V

技术参数/额定功率: 1.50 kW

技术参数/无卤素状态: Halogen Free

技术参数/击穿电压: 25.7 V|25.7 V

技术参数/电路数: 1

技术参数/正向电压: 3.50 V

技术参数/耗散功率: 1500 W

技术参数/钳位电压: 37.5 V

技术参数/最大反向电压(Vrrm): 23.1V

技术参数/测试电流: 1 mA

技术参数/最大反向击穿电压: 28.4 V

技术参数/脉冲峰值功率: 1500 W

技术参数/最小反向击穿电压: 25.7 V

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/工作结温: -65℃ ~ 175℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 2

封装参数/封装: DO-201AD

外形尺寸/长度: 9.5 mm

外形尺寸/直径: 5.30 mm

外形尺寸/封装: DO-201AD

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Each

其他/制造应用: 通用

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

海关信息/ECCN代码: EAR99

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
1.5KE27A 1.5KE27A Won-Top Electronics 功能相似 DO-214AE
1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage
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1.5KE27A 1.5KE27A Microsemi (美高森美) 功能相似 Axial
1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage
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1.5KE27A 1.5KE27A Rectron Semiconductor 功能相似
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1.5KE27A 1.5KE27A EIC 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Diotec Semiconductor 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Taiwan Semiconductor (台湾半导体) 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Brightking (君耀电子) 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 DO-201AE
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1.5KE27CA 1.5KE27CA DOWO (东沃) 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA ST Microelectronics (意法半导体) 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA HY Electronic 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Rectron Semiconductor 功能相似 2
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Panjit (强茂) 功能相似 DO-201AE
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Semtech Corporation 功能相似
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Fagor Electronica (法格) 功能相似 DO-201AE
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1.5KE27CA 1.5KE27CA JXND (嘉兴南电) 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Won-Top Electronics 功能相似 DO-214AE
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1.5KE27CA 1.5KE27CA World Products 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Multicomp 功能相似 DO-201
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1.5KE27CA 1.5KE27CA Littelfuse (力特) 功能相似 DO-201
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1N6281AG 1N6281AG ON Semiconductor (安森美) 完全替代 DO-201AD
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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1N6281AG 1N6281AG Littelfuse (力特) 完全替代 DO-201AD
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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