技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/击穿电压： | 27 V|25.7 V |
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技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/钳位电压： | 37.5 V |
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技术参数/最大反向电压（Vrrm）： | 23.1V |
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技术参数/测试电流： | 1 mA |
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技术参数/最大反向击穿电压： | 28.4 V |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 1500 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 25.7 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/工作结温： | -65℃ ~ 175℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-201AD |
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外形尺寸/长度： | 9.5 mm |
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外形尺寸/封装： | DO-201AD |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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1.5KE27AG
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Littelfuse (力特) | 完全替代 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5KE27AG
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5KE27AG
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Z-TEK (力特電子) | 完全替代 |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5KE27ARL4
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
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1N6281ARL4
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
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