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型号: 1N6281AG
描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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封 装: DO-201AD
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技术参数/针脚数:

2

 

技术参数/钳位电压:

37.5 V

 

技术参数/测试电流:

1 mA

 

技术参数/最大反向击穿电压:

28.4 V

 

技术参数/脉冲峰值功率:

1500 W

 

技术参数/最小反向击穿电压:

25.7 V

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/工作结温:

-65℃ ~ 175℃

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

2

 

封装参数/封装:

DO-201AD

 

外形尺寸/长度:

9.5 mm

 

外形尺寸/封装:

DO-201AD

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Box

 

其他/制造应用:

通用, 电源管理, 工业, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 医用, 通信与网络, 自动化与过程控制

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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