型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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YENJI (台湾元基) | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-201AE |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Diotec Semiconductor | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Brightking (君耀电子) | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | DO-201AE |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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DOWO (东沃) | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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HY Electronic | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Rectron Semiconductor | 功能相似 | 2 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Panjit (强茂) | 功能相似 | DO-201AE |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Semtech Corporation | 功能相似 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Fagor Electronica (法格) | 功能相似 | DO-201AE |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | DO-201AE |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-201 |
LITTELFUSE 1.5KE27CA TVS二极管, TVS, 1.5KE系列, 双向, 23.1 V, 37.5 V, DO-201, 2 引脚
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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Littelfuse (力特) | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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