技术参数/额定电压(DC): -100 V
技术参数/额定电流: -14.0 A
技术参数/漏源极电阻: 0.2 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 79 W
技术参数/产品系列: IRF9530NS
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: -100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -14.0 A
技术参数/上升时间: 15.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 760pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.8 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Rail, Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9530NSTRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -100 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 V
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IRF9530SPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRF9530SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-263 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRF9530SPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-263-3 |
P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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IRF9530STRLPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-263-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRF9540NSPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRF9540NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V
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