技术参数/漏源极电阻: 300 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 3.7 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -12.0 A
技术参数/上升时间: 52 ns
技术参数/反向恢复时间: 120 ns
技术参数/正向电压(Max): 6.3 V
技术参数/输入电容(Ciss): 860pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.7 W
技术参数/下降时间: 39 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温: -55℃ ~ 175℃
技术参数/耗散功率(Max): 3700 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2000
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9530NSPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
-100V,-14A,200mΩ,P沟道功率MOSFET
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IRF9530NSPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
-100V,-14A,200mΩ,P沟道功率MOSFET
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||
IRF9530NSTRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-252-3 |
IRF9530NSTRLPBF 编带
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