技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.3 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 88 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -12.0 A
技术参数/上升时间: 52 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 860pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 39 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3700 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.02 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9530S
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-263 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
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||
IRF9530S
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | 3 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
|
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IRF9530S
|
SEME-LAB | 类似代替 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
|
|||
IRF9530S
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
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IRF9530S
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-263-3 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
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IRF9530STRLPBF
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-263-3 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
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IRF9530STRRPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
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||
IRF9530STRRPBF
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
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