技术参数/漏源极电阻: 160 mΩ
技术参数/耗散功率: 3.7W (Ta), 88W (Tc)
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/输入电容(Ciss): 670pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF530S
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530S
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530S
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VISHAY (威世) | 完全替代 | D2PAK |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530SPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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Vishay Intertechnology | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530SPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-263 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRLPBF
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRRPBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRRPBF
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF540ZSPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF540ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V
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IRF540ZSPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF540ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 V
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