技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 36.0 A
技术参数/漏源极电阻: 26.5 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 92 W
技术参数/产品系列: IRF540ZS
技术参数/输入电容: 1770pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 36.0 A
技术参数/上升时间: 51.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1770pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 92 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF540ZSTRL
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
场效应管(MOSFET) AUIRF540ZSTRL TO-263-3
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STB35NF10T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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||
STB40NF10LT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
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