技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 40.0 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.028 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/阈值电压: 1.7 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/栅源击穿电压: ±15.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 40.0 A
技术参数/上升时间: 82 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2300pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 150 W
技术参数/下降时间: 24 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 150W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 9.35 mm
外形尺寸/高度: 4.6 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Computers & Computer Peripherals, 计算机和计算机周边, 工业, Power Management, 通信与网络, Industrial, 电源管理, Communications & Networking
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP120NF10
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
|
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