技术参数/漏源极电阻: 160 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 14.0 A
技术参数/上升时间: 34 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 670pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.7 W
技术参数/下降时间: 24 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3700 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2000
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF530S
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530S
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530S
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VISHAY (威世) | 完全替代 | D2PAK |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530SPBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530SPBF
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TO-263 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRLPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRR
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRRPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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Vishay Intertechnology | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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IRF530STRRPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
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