技术参数/漏源极电阻: 52.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 107 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 25.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 28.0 A
技术参数/上升时间: 18 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1710pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 107 W
技术参数/下降时间: 56 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 107W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 16.3 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Rail
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540PBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRF540PBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRF540PBF
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRF540PBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRF540PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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STP24NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
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