技术参数/额定电压(DC): | 100 V |
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技术参数/额定电流: | 28.0 A |
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技术参数/额定功率: | 150 W |
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技术参数/针脚数: | 3 |
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技术参数/漏源极电阻: | 0.077 Ω |
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技术参数/极性: | N-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 150 W |
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技术参数/阈值电压: | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压: | 100 V |
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技术参数/栅源击穿电压: | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 28.0 A |
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技术参数/上升时间: | 44 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 1700pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max): | 150 W |
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技术参数/下降时间: | 43 ns |
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技术参数/工作温度(Max): | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 150 W |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度: | 10.41 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4.7 mm |
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外形尺寸/高度: | 9.01 mm |
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外形尺寸/封装: | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tube |
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其他/最小包装: | 50 |
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其他/制造应用: | 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准: |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540
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IRF | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-220 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||
IRF540
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||
IRF540
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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||
IRF540
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Major Brands | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540NPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
|
||
IRF540NPBF
|
IRF | 功能相似 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
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MTB33N10E
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | D2PAK-263 |
D2PAK N-CH 100V 33A
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STP24NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
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