技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 28.0 A
技术参数/额定功率: 150 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.077 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 1700pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 28.0 A
技术参数/上升时间: 44 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1700pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 43 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 150 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.41 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 9.01 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/包装方式: Box
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540
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IRF | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-220 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
|
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IRF540
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
|
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IRF540
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540
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Major Brands | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF540NPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
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||
IRF540NPBF
|
IRF | 功能相似 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新
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MTB33N10E
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | D2PAK-263 |
D2PAK N-CH 100V 33A
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STP24NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
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